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合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)
產(chǎn)地:北京
品牌:合美半導(dǎo)體
編碼:
生產(chǎn)企業(yè):合美半導(dǎo)體(北京)有限公司
合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)產(chǎn)品特色:該設(shè)備適用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光,主要加工材料包括氮化鎵、金剛石、氧化鎵、鈮酸鋰、多晶碳化硅、光纖。

一、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn)

1、整機(jī)防腐,適應(yīng)常規(guī)化學(xué)機(jī)械拋光耐腐蝕要求。

2、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)的樣片去除厚度在線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),精度1μm。

3、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)可實(shí)現(xiàn)端面及角度研磨拋光工藝。

4、工藝程序所有控制參數(shù),均可在顯示屏獨(dú)立顯示。

5、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)的研磨拋光盤(pán)轉(zhuǎn)速可自主設(shè)定,轉(zhuǎn)速范圍為0-120rpm。

6、工作時(shí)間可自主設(shè)定,合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間可達(dá)10個(gè)小時(shí)。

7、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)可獨(dú)立顯示并指示實(shí)際工作時(shí)長(zhǎng),在完成既定工藝程序后自動(dòng)關(guān)機(jī)。

8、研磨工藝轉(zhuǎn)到拋光工藝時(shí),研磨盤(pán)與拋光盤(pán)的更換簡(jiǎn)捷方便,全系列磨頭及附件均適配。

9、填料系統(tǒng)自動(dòng)控制,滴料速度可調(diào)。

10、夾具擺幅及速度可精確控制,且擺幅范圍:0-100%;夾具壓力可調(diào),可調(diào)范圍可達(dá)7kg;合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)配有獨(dú)立真空單元,樣片通過(guò)真空吸附固定到夾具上面。

咨詢電話:159 1097 4236

11、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)可定制固定組件,實(shí)現(xiàn)端面及角度磨拋工藝。

二、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)適用材料

合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)主要適用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光,主要加工材料包括氮化鎵、金剛石、氧化鎵、鈮酸鋰、多晶碳化硅、光纖。

三、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域

合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料襯底減薄拋光、器件制備、先進(jìn)封裝及MEMS等相關(guān)領(lǐng)域,例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高溫壓力傳感器、MEMS陀螺儀等。

四、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列研磨拋光機(jī)技術(shù)參數(shù)

項(xiàng)目

合美半導(dǎo)體(北京)HSM-L系列

電壓

240V  50Hz

電流

6.3A

工作盤(pán)直徑

300mm、350mm、420mm

盤(pán)轉(zhuǎn)速

0120rpm(范圍可調(diào)整)

夾具自驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)速

0120rpm(范圍可調(diào)整)

連續(xù)工作時(shí)間

010小時(shí)

對(duì)應(yīng)晶圓尺寸

3英寸、4英寸、6英寸

咨詢電話:159 1097 4236

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