
一、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機產(chǎn)品特點
1、整機高度防腐,可在耐強酸強堿強氧化劑的工藝環(huán)境下實現(xiàn)穩(wěn)定高效運行,可實現(xiàn)高精度化學(xué)機械拋光工藝。
2、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機的研磨拋光盤轉(zhuǎn)速可自主設(shè)定,轉(zhuǎn)速范圍為0-120rpm。
3、工作時間可自主設(shè)定,合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機連續(xù)運轉(zhuǎn)時間可達(dá)10個小時。
4、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機通過選配藍(lán)牙系統(tǒng)可實現(xiàn)一個終端多機聯(lián)控,減少人工,且工藝程序所有控制參數(shù)均可在顯示屏獨立顯示。
5、研磨工藝轉(zhuǎn)到拋光工藝時,研磨盤與拋光盤的更換簡捷方便,全系列磨頭及附件均適配。
6、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機采用多通道進料系統(tǒng),填料系統(tǒng)自動控制,滴料速度可調(diào)。
7、夾具擺幅及速度可精確控制,且擺幅范圍:0-100%;夾具壓力可調(diào),可調(diào)范圍可達(dá)7kg;另外,配有獨立真空單元,樣片通過真空吸附固定到夾具上面。
8、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機的樣品去除厚度可控,去除量精度1μm。
9、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機可定制固定組件,實現(xiàn)端面及角度磨拋工藝。
10、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機可選配盤溫監(jiān)控功能,監(jiān)測精度1℃,具有在線實時磨拋盤溫控及冷卻功能。
11、該設(shè)備具備磨拋盤自動沖洗功能。
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12、可獨立顯示并指示實際工作時長,合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機在完成既定工藝程序后自動關(guān)機。
二、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機適用材料
合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機主要適用于化合物半導(dǎo)體材料、金屬薄膜、光電材料等平面、端面及角度拋光,由于整機高度防腐,耐強酸強堿強氧化劑,除主要加工材料氮化鎵、金剛石、氧化鎵、多晶碳化硅外,還特別適用于CZT、MCT、GaAs、InP及類似材料的化學(xué)拋光。
三、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機應(yīng)用領(lǐng)域
合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料襯底減薄拋光、器件制備、先進封裝及MEMS等相關(guān)領(lǐng)域,例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高溫壓力傳感器、MEMS陀螺儀等。
四、合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列研磨拋光機技術(shù)參數(shù)
項目 | 合美半導(dǎo)體(北京)HSM-LP系列 |
電壓 | 240V 50HZ |
電流 | 6.3A |
工作盤直徑 | 300mm、350mm、420mm |
盤轉(zhuǎn)速 | 0~120rpm |
夾具自驅(qū)動轉(zhuǎn)速 | 0~120rpm |
連續(xù)工作時間 | 0~10小時 |
對應(yīng)晶圓尺寸 | 3英寸、4英寸、6英寸 |
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