一、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光性能
1、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光前后總厚度偏差變化量（ΔTTV）：|ΔTTV|≤2μm。
2、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光后面型增量（ΔPV）：|ΔPV|≤2μm，可通過激光干涉儀測(cè)試。
3、白光輪廓儀測(cè)試表面粗糙度，測(cè)試視場(chǎng)232×174μm時(shí)，初始Ra≤1nm，合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光后Ra≤1nm；測(cè)試視場(chǎng)64×48μm時(shí)，表面粗糙度增量|ΔRa|≤0.1nm。
4、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光后表面狀態(tài)，無新增缺陷；顯微鏡偏光-微分干涉模式觀察，表面無新增缺陷，例如劃傷、亮點(diǎn)、氧化擦傷、斑塊等；暗場(chǎng)模式下觀察，表面無新增缺陷，例如氧化、黑點(diǎn)、起霧狀等。
5、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光后表面顆粒度：顯微鏡暗場(chǎng)模式下平均測(cè)試9點(diǎn)，表面顆粒度≤10/cm2。
6、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI拋光后表面無裂紋、裂片等物理損傷。
二、合美半導(dǎo)體（北京）純化學(xué)拋光機(jī)HSM-CPI規(guī)格參數(shù)
1、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：拋光盤運(yùn)行通過主驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)控制，轉(zhuǎn)速可通過程序控制調(diào)節(jié)；
2、機(jī)身材料：千級(jí)（或以上）潔凈室使用環(huán)境，全工藝過程中不產(chǎn)塵、不引入其他雜質(zhì)與污染；設(shè)備由防腐蝕材料構(gòu)成，整機(jī)防腐，適用于腐蝕性拋光溶劑，如溴甲醇、酸堿等腐蝕劑；
3、進(jìn)料系統(tǒng)：為實(shí)現(xiàn)化學(xué)拋光等各種復(fù)合工藝，設(shè)備支持雙通道進(jìn)料系統(tǒng)，可單獨(dú)/同時(shí)工作，進(jìn)料速率可實(shí)現(xiàn)數(shù)字化控制。供液流量控制范圍：0~10ml/s；
4、拋光盤：轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)：0~100rpm；拋光盤的更換、維護(hù)快速而簡便，嵌入式盤；
5、具有定時(shí)功能：可設(shè)定拋光時(shí)間，到達(dá)后停止工藝，設(shè)定時(shí)間0~60min，連續(xù)可調(diào)；
6、具有操作面板和控制器：可集成轉(zhuǎn)速、流速等工藝參數(shù)的數(shù)控顯示與控制；
7、設(shè)計(jì)有出液口，用于廢液的導(dǎo)出，使得整個(gè)工藝過程變得簡單快潔；
8、具有可連續(xù)的供液系統(tǒng)≥2，可在拋光工藝過程中補(bǔ)充拋光液；
9、廢液回收系統(tǒng)：設(shè)備具有廢液回收系統(tǒng)，可安全回收工藝廢液；
10、結(jié)構(gòu)：一體式可拆卸結(jié)構(gòu)，采用行星環(huán)繞運(yùn)動(dòng)方式；設(shè)備臺(tái)面具有可拆卸性，便于拋光墊更換與零部件的維修；設(shè)備運(yùn)行偏心距離為5mm（即齒輪圓心與玻璃襯底圓心之間距離為5mm）；
11、設(shè)備電源：220-240V；10A；50-60HZ；
12、設(shè)備功耗：3KW;
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